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SK 海力士介紹全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存，明年初出樣
- 11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存。該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量，預(yù)計明年初出樣。雖然一般認(rèn)為 16 層堆疊 HBM 內(nèi)存直到下一世代 HBM4 才會正式商用，但參考內(nèi)存領(lǐng)域 IP 企業(yè) Rambus 的文章，HBM3E 也有擴(kuò)展到 16 層的潛力。此外注意到，SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學(xué)術(shù)會議準(zhǔn)備的論文中也提到了可實(shí)現(xiàn) 1280G
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HBM3e 12hi面臨良率和驗(yàn)證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過剩仍待觀察
- 近期市場對于2025年HBM可能供過于求的擔(dān)憂加劇，而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉(zhuǎn)進(jìn)HBM3e仍是未知數(shù)，加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學(xué)習(xí)曲線長，目前尚難判定是否會出現(xiàn)產(chǎn)能過剩局面。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）與Micron（美光）已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處于持續(xù)驗(yàn)證階段。其中SK hynix與Micron進(jìn)度較快，有望于今年底完成
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三星8層堆疊HBM3E已通過英偉達(dá)所有測試，預(yù)計今年底開始交付
- 三星去年10月就向英偉達(dá)提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過一直沒有通過英偉達(dá)的測試。此前有報道稱，已從多家供應(yīng)鏈廠商了解到，三星的HBM3E很快會獲得認(rèn)證，將在2024年第三季度開始發(fā)貨。據(jù)The Japan Times報道，三星的HBM3E終于通過了英偉達(dá)的所有測試項(xiàng)目，這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達(dá)計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達(dá)還沒有最終確定供應(yīng)協(xié)議，但是問題不大，預(yù)計今年底開始交付。值得一提的是，三星還有更先進(jìn)的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品
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公司 8 層 HBM3E 芯片已通過英偉達(dá)測試？三星回應(yīng)稱并不屬實(shí)
- IT之家 8 月 7 日消息，今天早些時候路透社報道稱，三星的 8 層 HBM3E 芯片已通過英偉達(dá)測試?，F(xiàn)據(jù)韓媒 BusinessKorea 報道，三星電子回應(yīng)稱該報道并不屬實(shí)。對于這一傳聞，三星明確回應(yīng)稱：“我們無法證實(shí)與客戶相關(guān)的報道，但該報道不屬實(shí)?！贝送?，三星電子的一位高管表示，目前 HBM3E 芯片的質(zhì)量測試仍在進(jìn)行中，與上月財報電話會議時的情況相比沒有任何變化。此前路透社的報道稱，三星的 8 層 HBM3E 芯片已經(jīng)通過英偉達(dá)的測試，并將于第四季度開始供貨。IT之家注意到
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英偉達(dá)黃仁勛反駁三星HBM3e有問題
- 近日，英偉達(dá)(NVIDIA)執(zhí)行長黃仁勛在2024年中國臺北國際電腦展上對三星HBM因過熱問題而未能通過測試的報道進(jìn)行了反駁。他表示，英偉達(dá)正在努力測試三星和美光生產(chǎn)的HBM芯片，但目前尚未通過測試，因?yàn)檫€有更多的工程工作要做。其中特別針對三星HBM產(chǎn)品的質(zhì)量問題，黃仁勛表示，認(rèn)證三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒體所報道的因芯片過熱問題未通過質(zhì)量測試。他重申，英偉達(dá)與三星的合作進(jìn)展順利。此前，三星也堅決否認(rèn)有關(guān)其高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品未能達(dá)到英偉達(dá)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的報道。三星電子在一份聲明中表示，
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這一次，三星被臺積電卡脖子了
- 在晶圓代工領(lǐng)域，三星與臺積電是純粹的競爭關(guān)系，但在存儲芯片市場，作為行業(yè)霸主，三星卻不得不尋求與臺積電深入合作，這都是英偉達(dá)惹的禍。據(jù) DigiTimes 報道，三星 HBM3E 內(nèi)存尚未通過英偉達(dá)的測試，仍需要進(jìn)一步驗(yàn)證，這是因?yàn)榭ㄔ诹伺_積電的審批環(huán)節(jié)。作為英偉達(dá) AI GPU 芯片的制造和封裝廠，臺積電是英偉達(dá)驗(yàn)證環(huán)節(jié)的重要參與者。據(jù)悉，臺積電采用的是基于 SK 海力士 HBM3E 產(chǎn)品設(shè)定的檢測標(biāo)準(zhǔn)，而三星的 HBM3E 產(chǎn)品在制造工藝上有些差異，例如，SK 海力士芯片封裝環(huán)節(jié)采用了 MR-MUF
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英偉達(dá)H200帶寬狂飆！HBM3e/HBM3時代即將來臨
- 當(dāng)?shù)貢r間11月13日，英偉達(dá)（NVIDIA）宣布推出NVIDIA HGX? H200，旨為世界領(lǐng)先的AI計算平臺提供強(qiáng)大動力，將于2024年第二季度開始在全球系統(tǒng)制造商和云服務(wù)提供商處提供。H200輸出速度約H100的兩倍據(jù)介紹，NVIDIA H200是基于NVIDIA Hopper?架構(gòu)，配備具有高級內(nèi)存的NVIDIA H200 Tensor Core GPU，可處理海量數(shù)據(jù)，用于生成式AI和高性能計算工作負(fù)載。圖片來源：英偉達(dá)與H100相比，NVIDIA H200對Llama2模型的推理速度幾乎翻倍。
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英偉達(dá)下一代GPU：Blackwell B100將采用HBM3E顯存，計劃于明年第二季度左右發(fā)布
- 今年8月，SK海力士宣布開發(fā)出了全球最高規(guī)格的HBM3E內(nèi)存，并將從明年上半年開始投入量產(chǎn)，目前已經(jīng)開始向客戶提供樣品進(jìn)行性能驗(yàn)證。據(jù)MT.co.kr報道，繼第4代產(chǎn)品HBM3之后，SK海力士將向英偉達(dá)獨(dú)家供應(yīng)第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E，此舉有望進(jìn)一步鞏固其作為AI半導(dǎo)體公司的地位。據(jù)半導(dǎo)體業(yè)界15日消息，SK海力士將于明年初向英偉達(dá)提供滿足量產(chǎn)質(zhì)量要求的HBM3E內(nèi)存，并開展最終的資格測試。一位半導(dǎo)體行業(yè)高管表示，“沒有HBM3E，英偉達(dá)就無法銷售B100”，“一旦質(zhì)量達(dá)到要求，合同就只是時間問題?！睋?jù)
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三星正在開發(fā)HBM4，目標(biāo)2025年供貨
- 三星電子日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發(fā)HBM4，目標(biāo)2025年供貨。據(jù)韓媒，三星電子副總裁兼內(nèi)存業(yè)務(wù)部DRAM開發(fā)主管Sangjun Hwang日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發(fā)HBM4，目標(biāo)2025年供貨。他透露，三星電子還準(zhǔn)備針對高溫?zé)崽匦詢?yōu)化的NCF（非導(dǎo)電粘合膜）組裝技術(shù)和HCB（混合鍵合）技術(shù)，以應(yīng)用于該產(chǎn)品。此外，三星還計劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務(wù)，公司今年年初為此成立了AVP(高級封裝)業(yè)務(wù)團(tuán)隊，以加強(qiáng)尖端封裝技術(shù)并最大限度地發(fā)揮業(yè)務(wù)部門之間的協(xié)同作用。
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海力士競逐 HBM 市場份額，正計劃將擴(kuò)建其產(chǎn)能并使產(chǎn)能翻倍
- 6 月 18 日消息，據(jù) businesskorea 以及 etnews 報道，SK 海力士將擴(kuò)展其 HBM3 后道工藝生產(chǎn)線，并已收到英偉達(dá)要求其送測 HBM3E 樣品的請求據(jù)稱，考慮到對人工智能 (AI) 半導(dǎo)體的需求增加，S 海力士正在考慮將 HBM 的產(chǎn)能翻倍的計劃。業(yè)內(nèi)消息稱 SK 海力士于 6 月 14 日收到了 NVIDIA 對 HBM3E 樣品的請求，并正在準(zhǔn)備發(fā)貨。HBM3E 是當(dāng)前可用的最高規(guī)格 DRAM HBM3 的下一代，被譽(yù)為是第五代半導(dǎo)體產(chǎn)品。SK 海力士目前正致力于開發(fā)該產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： businesskorea SK 海力士 HBM3 英偉達(dá) HBM3E
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